阵列基板、显示装置以及阵列基板的制造方法

专利号：CN201410800496.0

公布日：2015-03-25

申请人：京东方科技集团股份有限公司;北京京东方光电科技有限公司

一种薄膜晶体管及其制备方法、显示基板和显示设备

专利号：CN201410334150.6

公布日：2017-07-14

申请人：京东方科技集团股份有限公司

薄膜晶体管、阵列基板、显示装置及制造薄膜晶体管的方法

专利号：CN201780000933.2

公布日：2022-06-10

申请人：京东方科技集团股份有限公司

显示装置及制造该显示装置的方法

专利号：CN201811418169.3

公布日：2023-04-18

申请人：乐金显示有限公司

薄膜有源元件、有机发光装置、显示装置、电子器件以及薄膜有源元件的制造方法

专利号：CN200880110811.X

公布日：2010-09-01

申请人：住友化学株式会社

金属堆叠源漏电极场效应管及其制作方法

专利号：CN201811438044.7

公布日：2022-03-11

申请人：湖南工业大学

半导体器件和用于形成半导体器件的方法

专利号：CN202210078806.7

公布日：2022-10-21

申请人：台湾积体电路制造股份有限公司

半导体器件及其制造方法

专利号：CN200680036407.3

公布日：2008-10-01

申请人：株式会社半导体能源研究所

薄膜晶体管及制作方法、显示装置

专利号：CN201710581306.4

公布日：2021-02-12

申请人：京东方科技集团股份有限公司

显示面板及其制作方法、显示设备

专利号：CN202210901205.1

公布日：2022-09-27

申请人：合肥鑫晟光电科技有限公司;京东方科技集团股份有限公司

一种基于挠曲电效应和光电效应增强的MESFET器件

专利号：CN202310463021.6

公布日：2023-07-21

申请人：浙江大学

具有偏移结构的薄膜晶体管

专利号：CN201110134007.9

公布日：2011-12-14

申请人：三星移动显示器株式会社

垂直沟道晶体管

专利号：CN202210498032.3

公布日：2023-03-14

申请人：三星电子株式会社

有机薄膜晶体管以及包含这种晶体管的平板显示器

专利号：CN200510081771.9

公布日：2006-02-15

申请人：三星SDI株式会社

垂直型晶体管、包括其的反相器及垂直型半导体器件

专利号：CN202110280227.6

公布日：2021-09-17

申请人：三星电子株式会社